1. Экранирование магнитного поля
Большинство устройств нечувствительны к помехам магнитного поля, но для некоторых устройств, таких как электронные микроскопы, биологические сканеры мозговых волн, системы ядерно-магнитного резонанса, масс-спектрометры, помехи магнитного поля могут быть фатальными для помех в этих электронных системах. Магнитные поля могут оказывать влияние на эти устройства, которые используют магнитные поля. Если электронный луч в CTR подвергается помехам со стороны внешнего магнитного поля, отклонение электронного луча изменится, что приведет к искажению изображения. Когда изменяющаяся частота внешнего магнитного поля совпадает с частотой сканирования поля, изображение будет только искажено. Когда частота внешнего магнитного поля отличается от частоты сканирования поля, изображение будет скатываться.
Везде, где есть изменение тока, есть изменение магнитного поля. В нашем жизненном пространстве часто возникают помехи магнитного поля. Например, вблизи электрифицированных железных дорог, лифтов в высотных зданиях, электросварочного оборудования в мастерских, гальванических ванн, электродуговых печей и индукционных нагревательных печей и т. д., когда они работают, они сопровождаются большими изменениями тока, что приводит к изменению магнитных полей. Поскольку частота этих помех очень низкая (обычно 50 Гц или 60 Гц переменного тока промышленной частоты, некоторые даже постоянного тока), с этими проблемами очень сложно справиться.
2. Принцип экранирования магнитного поля
Для экранирования магнитного поля очень низкой частоты или постоянного тока чувствительное устройство может быть окружено ферромагнитными материалами. Используя низкое сопротивление и высокую проницаемость ферромагнитных материалов, магнитное поле может играть роль во внешнем магнитном поле, так что линия магнитного поля вокруг чувствительного устройства концентрируется в экранирующем материале, так что магнитное поле в экранирующем теле значительно ослабляется, и магнитный экранирующий эффект воспроизводится на чувствительном устройстве.